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| 內容簡介： |
本書內容包含微波半導體元件與模型、射頻放大器、功率放大器與線性化技術、振盪器及混頻器。且特別注重文獻參考資料，以彰顯射頻知識的傳承。另外為增加思考廣度，列舉了不同的電路分析方法。本書適用於私立大學、科大電子系「射頻系統導論」之相關課程。
本書特色：
1.針對無線通訊產品中之射頻晶片含混成晶片、CMOS、PHEMT晶片作詳盡之介紹。
2.列舉各種設計理論和分析方法，以增加思考廣度。
3.重視文獻回顧，以彰顯射頻知識的沿革。
4.提供模擬和實作例題，以便使讀者更加了解射頻晶片。
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| 目錄：
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第7章 半導體元件與模型
7.1半導體物理概述2
7.2二極體元件17
7.3雙極性電晶體BipolarJunctionTransistor,BJT26
7.4異質接面雙極性電晶體HetrojunctionBipolarTransistor,HBT32
7.5接面場效電晶體JunctionFieldEffectTransistor,JFET35
7.6金氧半場效電晶體Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET37
7.7金半場效電晶體Metal-SemiconductorFieldEffectTransistor,MESFET42
7.8高速電子移動電晶體HighElectronMobilityTransistor,HEMT43
7.9半導體參數測試及元件特性分析47
7.10微波元件特性及模型49
第8章 射頻放大器
8.1混成射頻放大器與單晶射頻放大器66
8.2輸出與輸入功率的比值-增益69
8.3訊號波流理論SignalFlowTheory73
8.4穩定度分析83
8.5消除不穩定的方法91
8.6直流偏壓電路103
8.7單向增益匹配108
8.8雙向增益匹配111
8.9功率匹配115
8.10雜訊匹配119
8.11設計實例125
第9章 功率放大器與線性化技術
9.1功率放大器特性之概述148
9.2功率放大器之類別150
9.3克里普斯Cripps負載線法166
9.4負載拉挽方法Load-PullingMethod175
9.5回饋線性化技術177
9.6前饋線性化FeedforwardLinearization技術184
9.7前置失真技術Pre-Distortion186
9.8封包消弭與回復技術EnvelopeEliminationandRestoration188
9.9功率放大器設計實例189
第10章 振盪器
10.1簡介200
10.2形成振盪的必要條件-小訊號負電阻分析法202
10.3形成振盪的必要條件-小訊號迴授分析法206
10.4形成振盪的必要條件-小訊號S參數分析法211
10.5形成振盪的充份且必要條件-根軌跡法215
10.6形成振盪的充份且必要條件-阻抗軌跡法219
10.7穩定振盪功率-大訊號Y參數分析法226
10.8穩定振盪功率-大訊號S參數分析法230
10.9負載拉挽效應233
10.10注入鎖定效應236
10.11評估振盪器效能之各項參數238
10.12設計實例241
第11章 混頻器
11.1混頻器之發展與效能參數260
11.2單端二極體混頻器264
11.3單平衡二極體混頻器275
11.4雙平衡二極體混頻器294
11.5單閘極MESFET混頻器302
11.6雙閘極MESFET混頻器306
11.7平衡型MESFET混頻器308
11.8電阻型MESFET混頻器312
11.9單端MOSFET混頻器316
11.10平衡型MOSFET混頻器318
11.11電阻型MOSFET混頻器330
11.12平衡型BJT混頻器332
11.13次諧波驅動混頻器333
11.14鏡像拒斥降頻器336
11.15單邊帶升頻器339
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